实锤！美光中国区业务调整！官方停止移动NAND开发

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根据可靠的行业报告，根据Bishua家庭网络的全面报告，Micron Micron最近在中国进行了业务调整。但是，“没有谣言“影响上海，深圳和其他地方，以及关键的技术部门，例如嵌入式研发主干，测试工程师和FAE/AE”。但是，该行业认为，这种业务调整可能是Micron在中国继续缩小业务的重要信号。

为了回应“麦克风最近在中国的业务调整”，微米正式回答：

鉴于与其他NAND机会相比，鉴于市场上移动NAND产品的财务业绩持续较弱以及其他NAND机会的增长放缓，我们将停止全球未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5开发。

该决定只会影响全球移动NAND产品的开发，Micron将继续开发和支持其他NAND解决方案，例如SSD和NAND解决方案，用于汽车和其他最终市场。 Micron还将在全球范围内继续开发和支持移动DRAM市场，并提供行业领先的DRAM产品组合。

移动端业务表现

Micron的2025年第3期财政季度（2025年3月至5月）的结果表明，该季度的收入为93亿美元，每月增加15，同比增长37；在非GAAP下，营业利润为24.9亿美元，营业利润率从上一季度的24.9反弹至26.8；净利润为218.1亿美元，每月每月增长22.3，同比增长210.7。

2025年第一季度财政季度（2025年3月至5月）的收入达到了创纪录的高度，这要归功于DRAM业务收入的创纪录，HBM的收入增加了近50的月份；数据中心的收入同比增加了一倍以上，达到四分之一的高度；面向消费者的终端市场也实现了每月每月的强劲增长。 Micron表示，预计将在2025财年获得创纪录的收入。

DRAM收入为707.1亿美元，占总收入的76，每月增加15.5。 DRAM位发货增加了20以上，而DRAM ASP则以单位百分比（1-3）月份减少。 NAND收入为21.5亿美元，占总收入的23，每月增加16.2。 NAND BIT货量增加了约25的月份，而NAND ASP每月每月的单位百分比（7-9）降低。

Micron Mobile（MBU）收入为15.51亿美元，比上个月增长45，这是由于客户库存水平下降和DRAM独立容量的增加所带来的强劲需求。

Micron预计，智能手机的运输将在2025年保持较低的单位数增长。人工智能的普及仍然是智能手机DRAM容量增长的关键驱动力。预计会有更多的智能手机配备12GB或更多的容量，而普通智能手机的当前容量仅为8GB。

Micron专注于为高端智能手机市场提供解决方案，在LPDDR5X DRAM产品中采用了领先的1-和1-伽马技术节点，以及使用G8和G9技术节点生产的UFS4 NAND产品。 Micron赢得了主要客户的设计订单，并基于G9实现了UFS4产品的大规模生产。

从财务数据来看，Micron在2024财年在中国大陆（不包括香港）的收入份额下降到12.1。以前，Micron表示：“中国是Micron全球业务的重要组成部分。我们知道，中国不仅是世界上最大的市场之一，而且是创新和技术发展的重要引擎。在过去20年的中国投资中，Micron在RD在RD的链中为中国提供了RD的全面链，在RD上，设计，制造和技术支持，帮助中国建立半座位的EcosSempuctor EcosSempuctor Sempolor EcosSempuctor Semportor ecossemsor。

美光用于移动端推出UFS4.1

Micron今年宣布了基于移动设备的G9 NAND NAND的世界上第一个UFS 4.1和UFS 3.1。作为NAND技术的最新创新，G9节点旨在为所有存储解决方案带来峰值性能和容量优势。

Micron G9 NAND ACTION UFS 4.1解决方案是领先的性能和创新，可以为旗舰智能手机带来更快，更敏感的体验。其顺序读取速度超过4100Mbps。与其前身G8 UFS 4.0相比，G9 UFS 4.1具有显着的性能。

由大语言模型（LLM）提供动力的AI应用程序，例如虚拟助手，以了解用户含义，实时图像编辑，语言翻译等，最终要求强大的多模式AI来实现。然后，智能手机需要快速访问大型数据集，以实现较低的延迟，更快的响应时间以及最终用户的整体体验。

Micron G9 Process UFS4.1/3.1内存芯片已经开始发货，为智能手机设计，支持AI功能并提供256GB-1TB的容量。

现在，UFS4.0和4.1逐渐被应用于智能手机，三星电子和Kioxia也在努力。其中，三星的UFS 4.0产品较早发布的速度高达每秒23.2千兆位（Gbps），这是上一代UFS解决方案（UFS 3.1）的两倍。 UFS 4.0轻松支持需要大量数据处理（例如，高分辨率图像和大容量移动游戏）以及车内和AR/VR应用程序的5G智能手机。

Samsung UFS 4.0采用三星的第7代V-NAND和专有控制器，并将达到每秒4,200兆字节的顺序读取速度（MB/S）（MB/S）和2,800 MB/s的顺序写入速度，分别是上一代UFS 3.1的1.6倍。三星UFS 4.0毫克（MA）提供的连续读取速度高达6.0 MB/s，比UFS 3.1增加46，使智能手机的电池寿命更长，以相同的电池容量。

三星于2023年推出了其第一个QLC UFS产品。通过添加新的写入加速技术（TW）和HID技术并进行垂直努力，它不断优化主机系统并改善用户应用程序级别，以使QLC产品在实际工作中稳定地发挥作用，从而为用户带来出色的性能。

三星还正在开发一种使用UFS 4.0技术的新产品，但将渠道数量从当前的2增加到4。同时，积极参与了UFS 5.0标准的讨论。与移动客户和AP公司一起，我们将促进UFS 4.0 4频道和UFS 5.0之间的合作。计划在2025年大量生产UFS 4通道产品，以将两个UFS控制器包装在一起。

三星表示，我们将通过概念证明，开发新技术并实施三方协作模型来共同定义相关用例，并尽快完成UFS 5.0标准的配方。

氯欧说，UFS4.0/4.1为下一代智能手机和移动应用程序提供闪电般的存储和传输速度，从而使他们能够充分利用高速和5G移动网络的AI。 UFS4.0/4.1使用MIPI M-PHY 5.0高速齿轮5和Unipro2.0技术，支持每个通道高达23.2Gbps的理论接口速度或每个设备高达46.4GBPS。 UFS4.0/4.1与UFS 3.1兼容，这意味着现有平台可以使用最新一代的UFS4.0/4.1闪存存储技术，同时保留UFS 3.1的所有功能。与UFS 3.1相比，UFS 4.0/4.1具有更快的接口和更高的读写性能。

与上一代产品相比，UFS 4.0/4.1产品的顺序读写性能分别提高了约100和135/150。为了提高下载速度，高清视频记录和存储速度以及手机游戏的运行速度，UFS产品采用WriteBooster技术来提高顺序写入速度。

此外，为了更好地满足不断变化的需求，Kioxia计划明年发布下一代UFS5.0产品。

小结：

由于HBM的强劲增长和份额增长，以及Micron行业领先的高容量DIMM和低功率服务器DRAM的表现，Micron的Data Center DRAM收入在第三季度连续第四季度创下了创纪录的高位。微米预计，该行业的DRAM BIT需求增长率将在2025年达到约17-19，而行业的NAND BIT需求增长率将达到约11-13。 Micron的非HBM DRAM和NAND BIT供应增长率将低于该行业的BIT需求增长率。

通过这种业务调整，Micron对移动NAND产品的开发（包括UFS5开发的终止以及专注于其他NAND解决方案）将继续关注随后的行业竞争景观将产生什么影响。