森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块

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PART.01超低寄生参数–超低寄生参数：集成的终端布局和紧凑的内部结构，寄生电感

–紧凑型模块设计SOT227是一种内部绝缘套件，具有基板（DBC）区域大，TO-247可以容纳更多或更大的SIC芯片（例如，多芯片平行或混合拓扑结合），并且在同一时间，整体体积比传统的高速模块和高密度设计的整体体积大大小。

引脚设计：端子销尺寸较大，并支持更高的电流承载能力（例如，1200V SIC MOSFET流量达到121A，比TO-247高9）。

–绝缘与散热优化内部绝缘陶瓷垫圈：内置的Alo或Aln陶瓷绝缘层，不需要外部绝缘垫圈，减少外部热阻力并简化安装过程；

低热电阻设计：与TO-247相比，从连接到散热器的热电阻（R-JHS）降低了50以上。例如，某些SIC MOSFET模块的连接的热电阻低至0.67 K/W，从而显着提高了散热效率。

–机械与安全特性高绝缘可靠性：端子之间的蠕变距离10.4mm，隔离电压达到2500VRM，满足工业安全标准（例如IEC 60601）；

简化的安装：支持标准M4螺钉安装，清除扭矩规格（1.5N·M），降低组件的复杂性并提高生产率。

PART.02电气性能优势高频与低损耗特性–开关性能SIC设备支持超高速度开关（例如，转交延迟19NS，上升时间27NS），具有极低的开关损失（EON=500J，在175，EOFF=250JJ），以及llc reson resement reffffffffffffffffffffffc resements resements（reson）resements（res）resements（转换器）。

–低导通损耗SIC MOSFET抗性可以低至7.6m。

SIC Schottky二极管的正向电压降低至1.36V，电容电荷（QC）仅为56NC，可显着降低和切换损失。

–高温与可靠性表现工作温度：支持周围温度高达175，正温度系数的特性促进了多个设备的平行电流共享。

鲁棒性设计：内置的SIC SBD自由轮二极管没有反向恢复问题（反向恢复时间16N），避免了电压尖峰和EMI噪声；雪崩电阻设计增强了对负载突变的阻力。

SOT227 封装的SiC 模块出色的性能，可在如下的典型应用场景中大显身手：01中高功率工业系统填补功率缺口：高频电源：02适用于从数十到数百千瓦的电源段（例如TO-247和62mm模块之间的差距），覆盖光伏的Inverters，充电，工业，工业，堆满了PILES，PILES，PILES UPS和其他场景。

精密与严苛环境设备AC/DC PFC，DC/DC超高频率整流（例如电信电源，服务器电源），依靠低QC和高速开关来实现>95的效率。

半导体制造设备：医疗与航空航天：森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆，基于SOT227 封装，适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品等离子体RF发电机，PECVD电源需要高精度电源控制和低EMI特性。

KC017Z12J1M1 SiC MOSFET密封设计适用于高湿度环境，金属法兰安装增强了机械稳定性（例如，在航空航天场中使用Zhixin微型模块）。

KC100D12J1M1 SiC JBS

010-59000

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SOT227软件包为SIC设备提供了用于系统级创新的战略性支点。 Senguoke的SOT227模块化解决方案使客户可以在保持设计兼容性的同时直接解锁SIC的能源效率股息。 SOT-227软件包通过结构性创新（内部绝缘，紧凑的布局）和SIC材料优势（高频，高温度抗性）的结合来解决功率密度，散热效率和安装成本的中等和高功率系统的疼痛。它的标准化设计（例如引脚兼容性）进一步促进了传统的基于硅的设备的替代，尤其是在高频，高温和可靠性不可替代的区域。

关于Senguoke

深圳Senguoke Technology Co.Ltd。是一家专门从事电源设备，模块和电力IC的高科技企业。电源设备主要包括碳化硅二极管，碳化硅MOSFET和IGBT。电源芯片主要包括电动设备驱动器芯片和无刷电机驱动器芯片。该公司的总部位于深圳的Nanshan区，并在深圳和成都设有研发和运营中心。该公司的研发人员账户占70以上，研究生学位或以上占50。它来自Mediatek，Hisilicon，Byd Microelectronics，ROM，中国资源上的机构，包括Tsinghua大学，电子科学与技术大学，西安电子科学技术大学以及西北理工大学。

Senguoke的碳化硅碳化物产品线为650V，1200V和碳化硅二极管，碳化硅MOSFET，SIC二极管模块，SIC MOSFET模块。 This product series is widely used in new energy vehicles, photovoltaic inverters, charging pile power modules, mining machine power supplies, communication equipment power supplies, 5G micro base station power supplies, server power supplies, industrial power supplies, fast charging power supplies, rail transit power supplies, etc. Senguoke silicon carbide products use 6-inch automotive grade wafers, which have high temperature resistance, high frequency, high efficiency and high电压特性。他们稳步进入了上市公司的供应链，例如国内汽车三电力电源，主流高功率电源，光学风储存逆变器，充电堆电源模块等。

Senguoke Power IC采用了先进的高压特殊过程，包括驱动电源管和模块，驱动BLDC和FOC Motors。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD流程，UHV流程，数字到Analog Hybrid和运动驱动算法中积累了深刻的积累。动力设备驱动器芯片已大规模以中和低压系列的形式大量生产，并将很快推出高压系列。在运动驱动芯片方面，单相BLDC冷却风扇电动机系列和三相BLDC电动机驱动器系列已成功推出。