大家好,关于森国科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J很多朋友都还不太明白,不过没关系,因为今天小编就来为大家分享关于森国科,MOSFET,SiC的知识点,相信应该可以解决大家的一些困惑和问题,如果碰巧可以解决您的问题,还望关注下本站哦,希望对各位有所帮助!
为什么SIC MOSFET会更加“害怕”短路? SIC材料的先天特征是缺点的核心来源
01更快的热失控
短路时,SIC出色的热导率将变成“双刃剑”,并且可以很快扩散短路的高温,从而导致较大区域的连接温度飙升,直到设备燃烧为止。
02高饱和电流密度
在相同的通道尺寸下,SIC具有更强的传导能力,从而导致非常严重的短路电流影响;
03较薄的门氧
追求低抗性需要微单元的尺寸和稀疏的门氧,这使得该设备在高压过电流下更容易受到栅极氧的破坏;
04材料不合适的挑战
内在缺陷(例如SIC材料内部的微管)很容易在极端的电应力下失败的起点。
面对SIC MOSFET短路时间较弱的问题,通常的解决方案是尝试尽可能保护驾驶电路,例如使用智能驾驶保护电路,另一个是设计系统协作保护。
Part01智能驱动器保护电路通常有三项措施
——高速电流检测+逻辑保护
部署当前对Dananseconds响应的采样单元(例如没有电感电阻,Roche Coils)以快速使用硬逻辑关闭;
——主动米勒夹具技术
积极抑制Miller效应传导引起的误导风险,并在关闭安全区域进行保护;
——软关闭策略
感知短路后,实现一种无固定的速度电压(例如“两步关闭”)的非固定关闭方法,以避免由设备对DI/DT损坏过多引起的潮流电压。
Part02系统的协作保护设计有两种措施。
缩短驱动电路,选择具有更好高频性能和足够驱动力的专用驱动器IC,以提高源头的响应速度;
充分利用来自控制器(例如DSP,MCUS)的算法来优化短路检测速度和关闭保护逻辑。
面对SIC MOSFET短路时间较弱的问题,Senguo研发团队通过流程创新和设备结构设计创新推出了行业领先的4.5sSIC MOSFET。
在这种技术背景下,Senguoke推出了行业领先的1200V/40MSICMOSFET产品K3M040120-J。该设备的最大亮点是,它可以实现高达4.5s的短路时间,为相似产品的性能设定了新的基准,并显着提高了高功率新能源系统的安全性和可靠性余量。
Senguoke K3M040120-J的产品规格
K3M040120-J测量的短路承受时间波形图
对于SIC MOSFET来说,短路应承受的时间是进入高度可靠的场景,例如电动发动机等重要的垫脚石。 Senguoke短路的推出,可以抵御时间增强系列通过物质局限性打破,使产品鲁棒性进入新阶段,并将强大的发动机注入国内高端SIC SIC Power Sicoductor行业。将来,随着设计和技术的持续迭代,“缺点”不断克服。随着设计协作优化和新保护技术的成熟和普及,SIC MOSFET将继续增强全球绿色电力行业的能力。
关于Senguoke
深圳Senguoke Technology Co.Ltd。是一家专门从事电源设备,模块和电力IC的高科技企业。电源设备主要包括碳化硅二极管,碳化硅MOSFET和IGBT。电源芯片主要包括电动设备驱动器芯片和无刷电机驱动器芯片。该公司的总部位于深圳的Nanshan区,并在深圳和成都设有研发和运营中心。该公司的研发人员账户占70以上,研究生学位或以上占50。它来自Mediatek,Hisilicon,Byd Microelectronics,ROM,中国资源上的机构,包括Tsinghua大学,电子科学与技术大学,西安电子科学技术大学以及西北理工大学。
Senguoke的碳化硅产品线为650V和1200V硅碳化物二极管,碳化硅MOSFET,SIC二极管模块,SIC MOSFET模块。 This product series is widely used in new energy vehicles, photovoltaic inverters, charging pile power modules, mining machine power supplies, communication equipment power supplies, 5G micro base station power supplies, server power supplies, industrial power supplies, fast charging power supplies, rail transit power supplies, etc. Senguoke silicon carbide products use 6-inch automotive grade wafers, which have high temperature resistance, high frequency, high efficiency and high电压特性。他们稳步进入了上市公司的供应链,例如国内汽车三电力电源,主流高功率电源,光学风储存逆变器,充电堆电源模块等。
Senguoke Power IC采用了先进的高压特殊过程,包括驱动电源管和模块,驱动BLDC和FOC Motors。经过5年的发展,该产品线的团队在BCD流程,UHV流程,数字到Analog Hybrid和运动驱动算法中积累了深刻的积累。动力设备驱动器芯片已大规模以中和低压系列的形式大量生产,并将很快推出高压系列。在运动驱动芯片方面,单相BLDC冷却风扇电动机系列和三相BLDC电动机驱动器系列已成功推出。
关于本次森国科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J和森国科,MOSFET,SiC的问题分享到这里就结束了,如果解决了您的问题,我们非常高兴。
用户评论
尘埃落定
这是个开创性的进步!1200V电压加上这么低的导通电阻,简直绝了。对我们正在开发更高效率电源设计的人来说太棒了!期待看看在实际应用中的表现。
有10位网友表示赞同!
执笔画眉
森国科一直都是值得信赖的品牌,这次推出的SiC MOSFET产品也让人眼前一亮。性能指标非常出色,希望能有更多测试数据来证明其可靠性和稳定性。
有11位网友表示赞同!
君临臣
40mΩ的导通电阻,这样的参数太惊人了!意味着大幅降低损耗和提高效率,这对高功率应用来说简直是福音啊!
有16位网友表示赞同!
孤岛晴空
对于新能源汽车领域的电池管理系统来说这款产品应该很有用吧? 电压稳定和低损耗的需求非常重要,期待森国科能进一步优化该产品的温度特性。
有16位网友表示赞同!
七夏i
这个1200V 40mΩ SiC MOSFET的成本应该比较高,对普通用户来说可能有点贵啊。希望能有更高性价比的产品线来满足更广泛的需求。
有18位网友表示赞同!
ゞ香草可樂ゞ草莓布丁
森国科这次真搞出来一个厉害玩意儿!对于我们一直在追求高效节能的小公司来说,这样的产品能够大大的降低我们的开发成本和时间成本!
有7位网友表示赞同!
烬陌袅
在功率电子领域,SiC元器件占据着越来越重要的地位。这款产品的发布,将进一步推动该领域的进步和发展
有10位网友表示赞同!
陌然淺笑
1200V的电压要求很高,这种应用场景很少见吧?森国科是专门针对高端应用开发这款产品吗?
有17位网友表示赞同!
话扎心
之前对SiC MOSFET一直不太了解 ,看了这个介绍才明白这种元件如此厉害。 期待了解更多关于它的技术细节和应用案例。
有16位网友表示赞同!
良人凉人
我觉得这款产品的封装形式需要更进一步的优化,现在用的方案有些不够便捷!对于快速插拔的应用场景来说还存在一定的局限性,希望森国科能改进一下。
有10位网友表示赞同!
把孤独喂饱
希望能看到这款产品在实际应用案例中展示它的优异性能! 对比传统的硅基 MOSFET 在效率和可靠性方面有着明显的优势,期待它能够推动新一代电源技术的发展
有13位网友表示赞同!
纯情小火鸡
40mΩ,太让人惊艳了,相比市面上其他SiC MOSFET,这个指标看起来非常出色! 对于高频应用来说,这么低的导通电阻将极大减少能量损失,提高整体效率。
有12位网友表示赞同!
花开丶若相惜
森国科这次的新品发布让我对未来充满期待! 高电压、低导通电阻,这样的组合在一些特殊领域会有着巨大的应用价值。我相信这款产品会成为推动相关技术发展的关键力量!
有17位网友表示赞同!
凉话刺骨
现在SiC 元件的价格还是挺高的,希望随着技术的成熟和生产规模的扩大,价格能够进一步降低,让更多的用户都能享受到它的带来的便利。
有13位网友表示赞同!
矜暮
这1200V/40mΩ SiC MOSFET 产品真的非常让人期待!希望森国科后续能推出针对不同应用场景的产品解决方案,这样更加符合用户的需求。
有5位网友表示赞同!
又落空
这款产品的发布应该会在整个电力电子行业引发一场新的变革! 随着SiC元件应用范围的不断扩大,未来将会出现更多创新产品和技术的涌现!
有14位网友表示赞同!
小清晰的声音
我一直在关注SiC 技术的发展,森国科这次推出的产品让我感到非常激动!1200V电压、40mΩ导通电阻简直就是性能指标的天花板!
有8位网友表示赞同!